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Diskrete Halbleiter-Produkte
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RF/if und RFID
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
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- Buchsen für ICS, Transistoren(2223)
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- Rechteckige Steckverbinder-Gehäuse(28877)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, Spezial-PIN(5397)
- Rechteckige Anschlüsse - Header, Gefäße, weibliche Sockel(23450)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
- Rechteckige Anschlüsse - kostenloses Hängen, Panelhalterung(15074)
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- Rechteckige Anschlüsse - Board in, Direktdraht zum Board(2459)
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- Austauschbare Steckverbinder(5229)
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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onsemi NVTFS6H850NWFTAG
| Artikelnummer: | NVTFS6H850NWFTAG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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-
onsemi NVTFS6H850NWFTAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NVTFS6H850NWFTAG.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 70µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) Serie Automotive, AEC-Q101 Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 107W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1140 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 68A (Tc) Grundproduktnummer NVTFS6 NVTFS6H850NWFTAG Einzelheiten PDF [English] NVTFS6H850NWFTAG PDF - EN.pdf -
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-
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